-
發(fā)布日期:2025-07-09佛山蝕刻孔加工廠家如何選擇精度保障:優(yōu)先選擇具備±0.01mm公差能力的廠家(如卓力達的菲林蝕刻工藝支持0.03mm孔徑精密加工),核查其是否配備激光直寫設備或高精度掩膜技術
-
發(fā)布日期:2025-07-08微孔蝕刻加工廠家的系統(tǒng)化選擇策略精度與工藝適配性:優(yōu)先選擇能提供±0.005mm公差證明(如實測0.01mm孔徑誤差報告)的廠家,重點核查其掩膜制作設備(光刻機精度需≤20μm)與蝕刻液配方(適配不銹鋼、鈦合金等特定材料)。
-
發(fā)布日期:2025-07-08蝕刻網(wǎng)加工的精細化選擇指南精度與工藝適配性:選擇能實現(xiàn)微米級孔徑控制(如0.05mm孔徑±0.01mm公差)的企業(yè),優(yōu)先支持光刻或激光直寫掩膜技術,保障異形孔、蜂巢陣列等復雜圖形的加工能力。 材料兼容性:核實供應商是否覆蓋不銹鋼(SUS304/316L)、鈦合金、銅等多元材料,適配高溫、腐蝕性等應用場景。例如半導體領域需滿足316L不銹鋼鹽霧耐腐蝕≥1000小時。
-
發(fā)布日期:2025-07-04鈦合金蝕刻加工技術解析鈦合金蝕刻憑借高精度與材料性能優(yōu)勢,正加速在高端制造領域替代傳統(tǒng)工藝。
-
發(fā)布日期:2025-07-04銅合金蝕刻加工流程及應用領域解析銅蝕刻加工憑借其高精度與規(guī)?;芰Γ殉蔀榫苤圃祛I域不可替代的工藝。
-
發(fā)布日期:2025-06-27連續(xù)卷對卷刻蝕6大優(yōu)勢連續(xù)卷對卷刻蝕技術實現(xiàn)生產(chǎn)效率提升5-8倍,材料利用率突破95%,亞微米級精度控制,工藝穩(wěn)定性高達99.5%,綠色環(huán)保減少70%廢水排放,柔性適配新能源、半導體等多場景量產(chǎn)需求。
-
發(fā)布日期:2025-06-27卷對卷刻蝕加工優(yōu)勢解析卷對卷刻蝕實現(xiàn)全自動化連續(xù)生產(chǎn),效率提升200%,精度達±0.005mm,良品率99.5%,成本降低40%,廣泛應用于3C電子、新能源及半導體領域,推動10μm以下精密加工革新。
-
發(fā)布日期:2025-06-26蝕刻柵網(wǎng)加工蝕刻工藝可實現(xiàn)±0.01mm公差控制,支持0.02mm絲徑與0.05mm孔徑加工,適用于燃料電池擴散層、半導體掩膜板等微孔陣列需求,孔徑誤差≤±5μm,精準調控流體滲透與隔離效果。
-
發(fā)布日期:2025-06-26不銹鋼刻蝕加工:精密制造的“微米級藝術革命”在半導體、醫(yī)療器械、航天器等高端制造領域,厚度僅0.05-0.5mm的不銹鋼薄板正通過不銹鋼刻蝕加工實現(xiàn)形態(tài)蛻變。這項起源于20世紀光刻技術的工藝,利用化學試劑與材料的可控反應(如FeCl3蝕刻液對奧氏體不銹鋼的選擇性溶解),在光致抗蝕劑掩膜保護下精準移除金屬。相較傳統(tǒng)沖壓工藝,不銹鋼蝕刻加工可突破機械應力限制,對304/316L等材料實現(xiàn)±0.005mm公差控制
-
發(fā)布日期:2025-06-25精密蝕刻技術核心優(yōu)勢及產(chǎn)業(yè)應用精密蝕刻技術可實現(xiàn)±0.5μm公差(如半導體引線框架),突破0.005mm超窄線寬加工極限(適配MEMS傳感器),較傳統(tǒng)工藝精度提升50%以上。
-
發(fā)布日期:2025-06-25蝕刻生產(chǎn)全流程與關鍵技術解析蝕刻加工流程核心步驟材料預處理:針對不銹鋼、銅材等基材進行脫脂、酸洗,確保表面無氧化物(油污殘留量≤0.1mg/m2); 圖形轉移:通過LDI激光直寫或網(wǎng)印法制作掩膜,實現(xiàn)5μm線寬公差控制; 蝕刻加工工藝:采用濕法(FeCl?溶液)或干法(等離子體)精準腐蝕,完成0.02-15mm厚度材料的微孔陣列加工(密度達1000孔/cm2); 后處理:去除殘膠后實施電解拋光(表面粗糙度Ra≤0.05μm)
-
發(fā)布日期:2025-06-24蝕刻不銹鋼過濾網(wǎng)加工優(yōu)勢蝕刻不銹鋼過濾網(wǎng)通過化學蝕刻工藝(公差±0.01mm),實現(xiàn)0.02mm絲徑、500目微型孔陣列加工(孔徑誤差≤±5μm),滿足咖啡濾網(wǎng)、燃料電池擴散層等高精度需求。相較激光切割或沖壓工藝,蝕刻不銹鋼過濾網(wǎng)加工可消除毛刺,孔壁光滑度提升40%。